FQP32N20C_F080 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQP32N20C_F080

FQP32N20C_F080

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भाग संख्या	FQP32N20C_F080
LIXINC Part #	FQP32N20C_F080
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	FQP32N20C_F080 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jun 14 - Jun 18 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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FQP32N20C_F080 विशेष विवरण

भाग संख्या:	FQP32N20C_F080
ब्रैंड:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:	QFET®
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	200 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	28A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	82mOhm @ 14A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	110 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2200 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	156W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220-3
पैकेज / मामला:	TO-220-3

FQP32N20C_F080 दस्तावेज़

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