BSC014N04LSIATMA1

BSC014N04LSIATMA1
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भाग संख्या BSC014N04LSIATMA1
LIXINC Part # BSC014N04LSIATMA1
उत्पादक IR (Infineon Technologies)
वर्ग असतत अर्धचालकट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल BSC014N04LSIATMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी May 20 - May 24 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC014N04LSIATMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:BSC014N04LSIATMA1
ब्रैंड:IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:IR (Infineon Technologies)
शृंखला:OptiMOS™
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Active
एफईटी प्रकार:N-Channel
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):40 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:31A (Ta), 100A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:1.45mOhm @ 50A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:55 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:4000 pF @ 20 V
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):2.5W (Ta), 96W (Tc)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PG-TDSON-8 FL
पैकेज / मामला:8-PowerTDFN

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