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HTNFET-D

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भाग संख्या	HTNFET-D
LIXINC Part #	HTNFET-D
उत्पादक	Honeywell Aerospace
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 55V 8CDIP
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	HTNFET-D पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jun 02 - Jun 06 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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HTNFET-D विशेष विवरण

भाग संख्या:	HTNFET-D
ब्रैंड:	Honeywell Aerospace
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Honeywell Aerospace
शृंखला:	HTMOS™
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	55 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	-
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	400mOhm @ 100mA, 5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.4V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	4.3 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम):	10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	290 pF @ 28 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	50W (Tj)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 225°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-CDIP-EP
पैकेज / मामला:	8-CDIP Exposed Pad

HTNFET-D दस्तावेज़

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