केवल संदर्भ के लिए
भाग संख्या | BSP318SH6327XTSA1 |
LIXINC Part # | BSP318SH6327XTSA1 |
उत्पादक | IR (Infineon Technologies) |
वर्ग | असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
विवरण | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 |
जीवन चक्र | सक्रिय |
RoHS | कोई RoHS सूचना नहीं |
ईडीए/सीएडी मॉडल | BSP318SH6327XTSA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक |
गोदामों | यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर |
अनुमानित डिलिवरी | Jun 14 - Jun 18 2024(त्वरित शिपिंग चुनें) |
गारंटी | 1 साल तक [सीमित-वारंटी]* |
भुगतान | ![]() |
शिपिंग | ![]() |
भाग संख्या: | BSP318SH6327XTSA1 |
ब्रैंड: | IR (Infineon Technologies) |
जीवन चक्र: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
वर्ग: | असतत अर्धचालक |
उपश्रेणी: | ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
उत्पादक: | IR (Infineon Technologies) |
शृंखला: | SIPMOS® |
पैकेट: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
भाग की स्थिति: | Active |
एफईटी प्रकार: | N-Channel |
तकनीकी: | MOSFET (Metal Oxide) |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): | 60 V |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस: | 2.6A (Tj) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): | 4.5V, 10V |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs: | 90mOhm @ 2.6A, 10V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 2V @ 20µA |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: | 20 nC @ 10 V |
वीजीएस (अधिकतम): | ±20V |
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds: | 380 pF @ 25 V |
fet सुविधा: | - |
बिजली अपव्यय (अधिकतम): | 1.8W (Ta) |
परिचालन तापमान: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार: | Surface Mount |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज: | PG-SOT223-4 |
पैकेज / मामला: | TO-261-4, TO-261AA |
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DMTH62M8LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | 933 अधिक आदेश पर |
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AUIRF7734M2TR | MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2 | 5792 अधिक आदेश पर |
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SIDR622DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK | 2261 अधिक आदेश पर |
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IRF9640SPBF | MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK | 1164 अधिक आदेश पर |
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IXTK600N04T2 | MOSFET N-CH 40V 600A TO264 | 2683 अधिक आदेश पर |
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DMT3006LFVQ-7 | MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 | 996 अधिक आदेश पर |
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IXTH30N60P | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 | 1688 अधिक आदेश पर |
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SI4425BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO | 11283 अधिक आदेश पर |
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SQJQ100EL-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 | 2950 अधिक आदेश पर |
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RM2309 | MOSFET P-CHANNEL 30V 3.1A SOT23 | 957 अधिक आदेश पर |
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SI3440ADV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP | 4676 अधिक आदेश पर |
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CSD18535KCS | MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 | 1314 अधिक आदेश पर |
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R6008FNJTL | MOSFET N-CH 600V 8A LPTS | 2597 अधिक आदेश पर |
स्टॉक में | 13725 - अधिक आदेश पर |
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उद्धरण सीमा | कोई सीमा नहीं |
समय सीमा | पुष्टि की |
न्यूनतम | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.87000 | $0.87 |
1000 | $0.42949 | $429.49 |
2000 | $0.39315 | $786.3 |
5000 | $0.36892 | $1844.6 |
10000 | $0.35681 | $3568.1 |
25000 | $0.35020 | $8755 |
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