DMN1054UCB4-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

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भाग संख्या	DMN1054UCB4-7
LIXINC Part #	DMN1054UCB4-7
उत्पादक	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	DMN1054UCB4-7 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	May 22 - May 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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DMN1054UCB4-7 विशेष विवरण

भाग संख्या:	DMN1054UCB4-7
ब्रैंड:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	8 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	2.7A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	1.2V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	42mOhm @ 1A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	700mV @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	15 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±5V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	908 pF @ 6 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	740mW (Ta)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	X1-WLB0808-4
पैकेज / मामला:	4-XFBGA, WLBGA

DMN1054UCB4-7 दस्तावेज़

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