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NTMFS4H02NFT1G

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भाग संख्या	NTMFS4H02NFT1G
LIXINC Part #	NTMFS4H02NFT1G
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NTMFS4H02NFT1G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jun 13 - Jun 17 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
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NTMFS4H02NFT1G विशेष विवरण

भाग संख्या:	NTMFS4H02NFT1G
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	-
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	25 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	37A (Ta), 193A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	1.4mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.1V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	40.9 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2.652 pF @ 12 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	3.13W (Ta), 83W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
पैकेज / मामला:	8-PowerTDFN

NTMFS4H02NFT1G दस्तावेज़

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