केवल संदर्भ के लिए
भाग संख्या | IPP020N06NAKSA1 |
LIXINC Part # | IPP020N06NAKSA1 |
उत्पादक | IR (Infineon Technologies) |
वर्ग | असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
विवरण | MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3 |
जीवन चक्र | सक्रिय |
RoHS | कोई RoHS सूचना नहीं |
ईडीए/सीएडी मॉडल | IPP020N06NAKSA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक |
गोदामों | यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर |
अनुमानित डिलिवरी | May 20 - May 24 2024(त्वरित शिपिंग चुनें) |
गारंटी | 1 साल तक [सीमित-वारंटी]* |
भुगतान | |
शिपिंग |
भाग संख्या: | IPP020N06NAKSA1 |
ब्रैंड: | IR (Infineon Technologies) |
जीवन चक्र: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
वर्ग: | असतत अर्धचालक |
उपश्रेणी: | ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
उत्पादक: | IR (Infineon Technologies) |
शृंखला: | OptiMOS™ |
पैकेट: | Tube |
भाग की स्थिति: | Active |
एफईटी प्रकार: | N-Channel |
तकनीकी: | MOSFET (Metal Oxide) |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): | 60 V |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस: | 29A (Ta), 120A (Tc) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): | 6V, 10V |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs: | 2mOhm @ 100A, 10V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 2.8V @ 143µA |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: | 106 nC @ 10 V |
वीजीएस (अधिकतम): | ±20V |
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds: | 7800 pF @ 30 V |
fet सुविधा: | - |
बिजली अपव्यय (अधिकतम): | 3W (Ta), 214W (Tc) |
परिचालन तापमान: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार: | Through Hole |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज: | PG-TO220-3 |
पैकेज / मामला: | TO-220-3 |
IPB080N06N G | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | 834 अधिक आदेश पर |
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AON7240 | MOSFET N-CH 40V 19A/40A 8DFN | 965 अधिक आदेश पर |
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FDD5810-F085 | MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK | 917 अधिक आदेश पर |
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AOD5T40P | MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252 | 1525 अधिक आदेश पर |
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HUFA75309T3ST | MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4 | 35309 अधिक आदेश पर |
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FDS86106 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC | 139078338 अधिक आदेश पर |
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SI3460DDV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP | 3742 अधिक आदेश पर |
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AUIRF5210STRL | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK | 933 अधिक आदेश पर |
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NCV8440ASTT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 1641 अधिक आदेश पर |
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FQPF8N80C | MOSFET N-CH 800V 8A TO220F | 1309 अधिक आदेश पर |
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DMG3407SSN-7 | MOSFET P-CH 30V 4A SC59 | 985 अधिक आदेश पर |
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BSS670S2LH6433XTMA1 | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 | 899 अधिक आदेश पर |
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SIHH20N50E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8 | 3621 अधिक आदेश पर |
स्टॉक में | 10883 - अधिक आदेश पर |
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उद्धरण सीमा | कोई सीमा नहीं |
समय सीमा | पुष्टि की |
न्यूनतम | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.56000 | $4.56 |
10 | $4.06938 | $40.6938 |
100 | $3.33692 | $333.692 |
500 | $2.70207 | $1351.035 |
1000 | $2.27885 | $2278.85 |
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