SI8499DB-T2-E1 | Vishay / Siliconix SI8499DB-T2-E1 | SI8499DB-T2-E1 Inventory, Best Pricing

SI8499DB-T2-E1

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भाग संख्या	SI8499DB-T2-E1
LIXINC Part #	SI8499DB-T2-E1
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SI8499DB-T2-E1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jun 16 - Jun 20 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SI8499DB-T2-E1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SI8499DB-T2-E1
ब्रैंड:	Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Vishay / Siliconix
शृंखला:	TrenchFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	16A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	1.8V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	32mOhm @ 1.5A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1.3V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	30 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±12V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1300 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	2.77W (Ta), 13W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	6-Micro Foot™ (1.5x1)
पैकेज / मामला:	6-UFBGA

SI8499DB-T2-E1 दस्तावेज़

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