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BSO615NGHUMA1

BSO615NGHUMA1
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भाग संख्या BSO615NGHUMA1
LIXINC Part # BSO615NGHUMA1
उत्पादक IR (Infineon Technologies)
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल BSO615NGHUMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी May 20 - May 24 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSO615NGHUMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:BSO615NGHUMA1
ब्रैंड:IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:IR (Infineon Technologies)
शृंखला:SIPMOS®
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):60V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:2.6A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:150mOhm @ 2.6A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2V @ 20µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:20nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:380pF @ 25V
शक्ति - मैक्स:2W
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PG-DSO-8

BSO615NGHUMA1 दस्तावेज़

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