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NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G
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भाग संख्या NVMFD5C650NLT1G
LIXINC Part # NVMFD5C650NLT1G
उत्पादक Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल NVMFD5C650NLT1G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी May 21 - May 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFD5C650NLT1G विशेष विवरण

भाग संख्या:NVMFD5C650NLT1G
ब्रैंड:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:Automotive, AEC-Q101
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Active
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:Standard
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):60V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:21A (Ta), 111A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:4.2mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.2V @ 98µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:16nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:2546pF @ 25V
शक्ति - मैक्स:3.5W (Ta), 125W (Tc)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

NVMFD5C650NLT1G दस्तावेज़

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