EPC is the leader in enhancement mode gallium nitride based power management devices. EPC was the first to introduce enhancement-mode gallium-nitride-on-silicon (eGaN®) FETs as power MOSFET replacements in applications such as DC-DC converters, wireless power transfer, envelope tracking, RF transmission, power inverters, remote sensing technology (LiDAR), and class-D audio amplifiers with device performance many times greater than the best silicon power MOSFETs.
EPC2203

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GANFET N-CH 80V 1.7A DIE

11,348

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EPC2219

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TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE

10,923

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EPC2012C

EPC2012C

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GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

30,170

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EPC2015C

EPC2015C

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GANFET N-CH 40V 53A DIE

17,100

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EPC2010C

EPC2010C

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GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

12,232

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EPC2022

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GANFET N-CH 100V 60A DIE

10,924

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EPC2014C

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GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

29,527

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EPC2020

EPC2020

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GANFET N-CH 60V 90A DIE

16,499

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EPC8009

EPC8009

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GANFET N-CH 65V 2.7A DIE

13,019

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EPC2039

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GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

90,091

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